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“你怎么晓得采取ArF技术会造成更多的线边波动和不规则性？
关于ArF技术路线，在IEEE的杂志上有，但是无论是尼康还是佳能的工程师发表在上面的论文，都只说了利益没有说缺陷。”林本坚惊讶地问。
周新说：“尼康和佳能为了误导竞争对手，故意不谈ArF技术路线的缺点。
为的就是让竞争对手也踩到这个坑里去。
他们曾经投入了大笔研发经费到ArF技术路线，没有找到举措解决ArF光源带来的线边波动和不规则性问题，所以他们认为其他竞争对手也解决不了这个问题。”
林本坚默默点头：“没错。
就是这样。”
周新继续说：“在技术路线上误导竞争对手，这不是集成电路领域的常规操作吗？”
林本坚还是很好奇，他晓得ArF技术路线的缺陷，是因为他从事这个领域的研究超过两十年，他有大量的人脉。
由于保密协议的缘故，他的朋友无法直接告诉他，只能通过暗示的方法，向他透露ArF技术路线有重大缺陷。
他对此也只是猜测，没有证据的猜测。
为什么周新能够说得如此笃定，并且把ArF技术路线的缺陷也说得如此清楚。
要晓得有资格进行ArF技术路线实验的实验室，也就那几家光刻机公司。
周新战术喝水之后说：“林伯，我晓得你在念什么，我是不是买通了尼康的技术人员，从他们那获得了技术诡秘。
现实上ArF技术路线的缺陷，这很容易就推理出来。
ArF光源的波长为193纳米，相较于KrF光源的248纳米波长更短。短波长光源在光刻进程中，显然会受到更严重的集射、衍射和光学近场效应的影响，导致图案传输进程中的线边波动和不规则性增加。
同时使用ArF光源的光刻技术用于更先进的制程节点中，这导致晶圆必要实现更高的辨别率。
随着尺寸的缩小，光刻进程中的图案边沿更容易受到光学近场效应、衍射和光刻胶吸支等因素的影响，从而导致线边波动和不规则性。
这是基于物理知识的推论。”
林本坚鼓掌，“精彩的推演和敏锐的洞察力。
当时正明和我说他从燕大找到了天才学生的时候，我还在念到底有多天才，让他那么得意。
你在这方面的天赋比我猜测的还要更出色。
伱刚刚说的还差了两点。
一点是ArF光源的波长更容易被光刻胶吸支，这会导致光刻胶的曝光不均匀，进而影响成像质量。所以必要专门针对ArF光源设想专门的光刻胶。
但是专门针对ArF光源设想光刻胶，来减少吸支呢，新光刻胶又很有可能会进一步造成线边波动和不规则性。
另外采取ArF来构建先进制程，会采取多重曝光技术、相位移光掩膜技术和偏振光技术等。
这些技术必然程度上又会增加线边波动和不规则性。
所以造成线边波动的原因比你猜测的更多。”
周新问：“可是有这么多坚苦，为什么前辈你还是看好ArF路线？”
周新怎么晓得林本坚看好ArF技术路线，因为林本坚此次在参加光学大会接受采访的时候自己说的。
“是帮光刻机公司打掩护吗？”
林本坚笑了：“我曾经从IBM离职了，IBM这几年也几乎没有在光刻机领域继续投入了。
我又没有为尼康或者佳能工作，为什么要帮他们打掩护。
我当然是从我内心动身更加看好ArF技术路线。
我们刚刚说的是ArF的缺点，这些缺点只是暂时的。
在KrF光源替代g线和i线的进程中，同样有许多坚苦。”
g线是436nm波长的光源，i线是365nm波长的光源。
“相对于g线和i线，KrF必要新的光刻胶和抗反射涂层材料来适应KrF光源的特性。
同时KrF要求更高性能的光学系统和光掩膜材料。当时必要采取更先进的透镜和光学元件，以实现更高的数值孔径和辨别率。
此外，光掩膜材料也必要具有更低的集射和吸支特性。
KrF还必要优化曝光进程，以提高成像质量。我们当时主要采取了双重曝光和离焦曝光技术来降低光刻误差。
让我念念，对了，我们当时在研发KrF光源的时候还要对控制进行考虑，因为KrF实现了更高的辨别率，所以必要更严格的制程控制要求。
必要对光刻胶涂覆厚度、曝光剂量、显影进程等参数进行更精确的控制，以保证光刻成像质量和产量。
这么多坚苦，我们照样克服了，最终KrF光源替代了g线和i线，成为了今天的最先进的制程光源。
同样未来短波长的光源必将然会替代长波长的光源，这是技术前进的必然。
我们刚刚讨论的坚苦只是暂时的坚苦。”
ASML、尼康和佳能只是暂缓了在ArF上的投入，而不是截止了在ArF技术路线上的投入。
后来ASML实现弯道超车，也是因为他们选择了正确的技术路线，ArF光源以水为介质，在光刻胶上面抹一层水。
水的介质折射率是1.44，193纳米÷1.44≈134纳米，ArF光源的波长进一步减少了。
ASML能够干掉尼康和佳能，垄断光刻机领域，他们在技术路线的两个关键节点都做出了正确的选择。
应该稳健的时候他们比尼康稳健，从而在光刻机市场站稳了脚根。
应该激进的时候他们比尼康激进，从而盘踞了高端市场，把高额利润全部吃掉了，后续一直保持住了技术领先。
ArF技术路线突破之后，ArF的波长是193nm，他最多能够制造65nm的芯片。
如果要制造40nm制程以下的芯片，必要找到160nm以下的光源。
尼康和佳能等企业选择的是157nm的F2激光，而ASML找到了光源做介质直接一步到位了。
当然没有加一层水那么俭朴。
“我关于ArF技术路线一直认为是有举措解决的。
起首是必要专门针对ArF光源设想对应的光刻胶，其次是研发抗反射涂层，然后是改良光刻机的光学系统，找蔡司定制更先进的透镜。
来实现更高的数值孔径和辨别率。
同时在曝光进程中进行优化。我专门针对ArF光源设想了一套辨别率加强技术。
包括帮助特征、离轴照明、双曝光技术等，用以改善图案传输质量和提高辨别率。”林本坚很兴奋，难得睹到这么懂ArF技术的同行。
其他懂这玩意的都签了保密协议，林本坚和他们聊的很不尽兴。
华国差的不但仅是光刻机，差的是整个高端制造业，即便能造出光刻机，光学镜头也能卡你脖子。
不过蔡司是德意志企业并且没上市，阿美利肯的长臂管辖管不到蔡司。
周新听完之后感慨对方不愧是巨匠级人物，还没有插足台积电曾经有完整的计划了。
同样一件事，有的人是夸夸其谈，有的人是决胜千里之外。
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